GM2309L SOT-23 -30V/-3.7A 贴片式 P沟道场效应晶体管
GM2309L的极限值:
漏极-源极电压:-30V
栅极-源极电压:±20V
漏极电流-连续:-3.7A
漏极电流-脉冲:-12A
总耗散功率:1380mW
结温:150℃
存储温度:-55~+150℃
GM2309L的电特性:
65V低压MOS管 120N06 TO-252
N沟道MOS管 4N80 TO-251
800VN沟道MOS管 4N80 TO-252
快充用N+NMOS管 10H03 SOT23-6
30VN+N沟道MOS管 6H03 SOT23-6