GM3414 SOT-23 半导体场效应管MOS-FET N沟道MOS管
GM3414的极限值:
漏极-源极电压:20V
栅极-源极电压:±8V
漏极电流-连续:4.2A
漏极电流-脉冲:16A
总耗散功率:1200mW
结温:150℃
存储温度:-55~+150℃
GM3414的电特性:
65V低压MOS管 120N06 TO-252
N沟道MOS管 4N80 TO-251
800VN沟道MOS管 4N80 TO-252
快充用N+NMOS管 10H03 SOT23-6
30VN+N沟道MOS管 6H03 SOT23-6