20V N沟道MOS 场效应管 GM2016 SOT-23 N沟道增强型
GM2016的极限值:
漏极-源极电压:20V
栅极-源极电压:±8V
漏极电流-连续:3.2A
漏极电流-脉冲:10A
总耗散功率:800mW
结温:150℃
存储温度:-55~+150℃
GM2016的电特性:
65V低压MOS管 120N06 TO-252
N沟道MOS管 4N80 TO-251
800VN沟道MOS管 4N80 TO-252
快充用N+NMOS管 10H03 SOT23-6
30VN+N沟道MOS管 6H03 SOT23-6