国产替换 N+N低内阻MOS 10H04 PDFN3X3-8L 40V/12.5A 锂电池保护MOS
N+N低内阻MOS 10H04的引脚图：
N+N低内阻MOS 10H04的应用领域：
锂电池保护
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N+N低内阻MOS 10H04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续(TC=25℃) ID：12.5A
漏极电流-连续(TC=100℃) ID：8.5A
漏极电流-脉冲 IDM：60A
单脉冲雪崩能量 EAS：48mJ
雪崩电流 IAS：31A
总耗散功率(TC=25℃) PD：27.8W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到环境的热阻 RθJA：60℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：4.5℃/W
N+N低内阻MOS 10H04的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 47 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=12A | 6.9 | 8.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10.5 | 15 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 690 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 193 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 38 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 14.3 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 20 | |||
| tf | 开启下降时间 | 11 |
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