同步整流MOS管 40N10 TO-252 国产替代场效应管 大芯片 MOSFET参数

同步整流MOS管 40N10的应用领域：

• 消费电子电源

• 马达控制

• 同步整流
  

同步整流MOS管 40N10的极限参数：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：100V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：40A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：100A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：160mJ

• 总耗散功率 P_D：27W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作温度 T_J：-55~150℃

• 结到环境的热阻 R_θJA：4.65℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：62℃/W

同步整流MOS管 40N10的电特性：

(如无特殊说明，T_C=25℃)