GM2326B SOT-23 200V 贴片式 N沟道增强型 MOS晶体管

GM2326B的极限值：

• 漏极-源极电压：200V

• 栅极-源极电压：±20V

• 漏极电流-连续：0.4A

• 漏极电流-脉冲：3A

• 总耗散功率：1300mW

• 结温：150℃

• 存储温度：-55~+150℃

GM2326B的电特性：

GM2326B的封装外形尺寸：