BT131 1A双向可控硅 国产可控硅BT131

• 来源：宇芯电子 更新时间：2026-03-03 15:22:18点击：6次

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  BT131 1A双向可控硅 国产可控硅BT131

  
  

  
  

  

  
  

  国产可控硅BT131的产品特征：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：SOT89-3L、SOT223-3L、TO-92

  
  

  
  

  国产可控硅BT131的应用领域：

        BT131双向可控硅应用于：加热控制器、彩灯控制器、电饭煲、燃气点火器、电风扇调速器等...

  
  

  
  

  国产可控硅BT131的极限值(TCASE=25℃)：

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	1	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	16
  I2t	I2t 值	1.28	A2s
  dIT/dt	通态电流临界上升率 I-II-III	50	A/μs
  	通态电流临界上升率 IV	10
  IGM	门极峰值电流	2	A
  PGM	门极峰值功率	5	W
  PG(AV)	门极平均功率	0.5
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作温度	-40~+125

  
  

  
  

  国产可控硅BT131的的电特性：

  符号	参数	数值		单位
  		D	E
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤3	≤5	mA
  	门极触发电流 IV	≤5	≤10
  VGT	门极触发电压	≤1.3		V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤5	≤5	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤6	≤10
  	擎住电流 II	≤10	≤15
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥20	≥50	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55		V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5		μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤100